[发明专利]具有侧壁氧化介电质的半导体元件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011539331.4 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113161424A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陈德荫 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种具有一氧化中介层的半导体元件及该半导体元件的制备方法，特别涉及具有侧壁氧化介电质的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一穿隧隔离层、一浮置栅极、一侧向样化中介层以及一控制栅极，该穿隧隔离层设置在该基底上，该浮置栅极设置在该穿隧隔离层上，该侧向氧化中介层设置在该浮置栅极上，该控制栅极设置在该侧向氧化中介层上。该侧向氧化中介层包括一侧壁部以及一中心部，而该侧壁部的一氧浓度大于该中心部的一氧浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 侧壁 氧化 介电质 半导体 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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