[发明专利]一种半导体基板上的薄膜生长方法及其应用在审
| 申请号： | 202011540225.8 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN113224140A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陈卫军;刘美华 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L21/02;H01L21/203;H01L21/324;H01L21/335;H01L29/778;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/16;H01L27/15;C23C14/02;C23C14/06;C23C |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出一种半导体基板上的薄膜生长方法及其应用，所述半导体基板上的薄膜生长方法包括提供一基板于腔体内；对所述腔体内的基板进行加热；在所述基板上形成薄膜，其中当形成所述薄膜时，相对温度是大于等于0.1，所述相对温度是所述基板温度与所述薄膜熔化温度的比值。通过本发明提供的一种半导体基板上的薄膜生长方法及其应用，可提高所述薄膜的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 基板上 薄膜 生长 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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