[发明专利]NOR FLASH器件隔离介质层及其制备方法在审
| 申请号： | 202011540662.X | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112670236A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李雪健;李志林;张继亮;顾林;王虎;郭霞文 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及一种NOR FLASH器件隔离介质层及其制备方法。其中，方法，包括：提供NOR FLASH器件，NOR FLASH器件形成有多个存储元胞，相邻存储元胞之间形成隔离间隙；在所述隔离间隙的内表面上沉积形成衬垫层；通过HDP沉积工艺，沉积形成第一预定厚度的HDP氧化层；所述HDP氧化层覆盖在形成有所述衬垫层的隔离间隙中，和，所述存储元胞上；通过HARP沉积工艺，根据形成有所述HDP氧化层的器件表面形貌，在所述器件的表面，沉积形成第二预定厚度的HARP氧化层。有上述方法可以制作形成该NOR FLASH器件隔离介质层。本申请提供了一种NOR FLASH器件隔离介质层及其制备方法，可以解决相关技术制作NOR FLASH器件的隔离介质层时，会对晶圆GOI产生不利影响的问题。 | ||
| 搜索关键词： | nor flash 器件 隔离 介质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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