[发明专利]乙烯与硅烷反应的SiC-CVD无氯外延制程尾气FTrPSA回收与循环再利用方法有效

专利信息
申请号: 202011542338.1 申请日: 2020-12-23
公开(公告)号: CN112678774B 公开(公告)日: 2023-05-30
发明(设计)人: 钟雨明;钟娅玲;汪兰海;陈运;唐金财;蔡跃明;蒋强 申请(专利权)人: 四川天采科技有限责任公司
主分类号: C01B3/56 分类号: C01B3/56;C01B33/04;C07C7/12;C07C7/11;C07C7/04;C07C11/04;C07C7/00;C07C9/04
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 轩勇丽
地址: 610041 四川省成都市中国(四川)自由贸*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了乙烯与硅烷反应的SiC‑CVD无氯外延制程尾气FTrPSA回收与循环再利用方法,属于半导体材料与半导体制程环保技术领域,以解决现有的处理的方法耗能高,成本高,不安全,大量有效组分未能有效利用,排放还带来温室效应的问题,通过预处理、中温变压吸附浓缩、浅冷变压吸附浓缩、吸附净化、氢气纯化、浅冷油吸收、中浅冷精馏、硅烷提纯与乙烯精制工序,将尾气中的氢气、硅烷、乙烯及甲烷有效组分进行了高纯度高收率的回收并返回至SiC‑CVD外延制程循环再利用,既实现尾气的有效组分全回收与循环再利用,又减少了尾气排放,弥补了SiC‑CVD外延制程尾气处理技术的空白,安全,耗能低,成本低。
搜索关键词: 乙烯 硅烷 反应 sic cvd 外延 尾气 ftrpsa 回收 循环 再利用 方法
【主权项】:
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