[发明专利]乙烯与硅烷反应的氯基SiC-CVD外延制程尾气FTrPSA回收与循环再利用方法在审
| 申请号： | 202011544297.X | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112827322A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 钟雨明;钟娅玲;汪兰海;陈运;唐金财;蔡跃明;蒋强 | 申请（专利权）人： | 四川天采科技有限责任公司 |
| 主分类号： | B01D53/047 | 分类号： | B01D53/047;B01D53/18;B01D1/00;B01D5/00;B01D3/14 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 轩勇丽 |
| 地址： | 610041 四川省成都市中国（四川）自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： |
本发明公开了乙烯与硅烷反应的氯基SiC‑CVD外延制程尾气FTrPSA回收与循环再利用方法，属于半导体材料与半导体制程环保领域，以解决现有的SiC‑CVD外延制程制备成本高，无法从尾气中回收再利用的问题，通过预处理、浅冷氯硅烷吸收、浅冷变压吸附浓缩、吸附净化、变压吸附提氢、氢气纯化、多级蒸发/压缩/冷凝、HCl精制、氯硅烷中浅冷精馏、乙烯/硅烷分离、硅烷提纯与乙烯精制工序，回收高纯度、高收率的回收H |
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| 搜索关键词： | 乙烯 硅烷 反应 sic cvd 外延 尾气 ftrpsa 回收 循环 再利用 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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