[发明专利]一种用于太阳能电池片镀膜和光注入的集成设备和工艺在审
申请号: | 202011544481.4 | 申请日: | 2020-12-24 |
公开(公告)号: | CN112582504A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 上官泉元;邹开峰 | 申请(专利权)人: | 常州比太科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/677 |
代理公司: | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人: | 吴倩 |
地址: | 213164 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于太阳能电池片镀膜和光注入的集成设备和工艺,包括硅片上料机构以将硅片平放在平躺的载板上进行上料并由链式传输机构输送载板进入装载真空腔;载板进入TCO镀膜腔内进行TCO镀膜;载板进入光注入退火腔内进行光注入退火;载板进入卸载真空腔内进行大气回填;采用硅片下料机构将硅片下料;空的载板经载板回转机构回传到上料端。本发明将TCO镀膜及光注入退火两道工序集成在一台设备中,利用平躺式载板以实现链式连续运行,在印刷银线前先完成光注入退火,工序整合度高,降低了设备投入,制程周期缩短,生产效率和产品良率提升,电池制造成本随之降低,解决了现有技术光注入退火工序导致的银线与硅片粘结强度下降的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 太阳能电池 镀膜 注入 集成 设备 工艺 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的