[发明专利]一种半导体外延结构及其应用与制造方法在审
| 申请号： | 202011545882.1 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112802890A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 陈卫军;刘美华 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶相技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L21/02;H01L21/203;H01L21/324;H01L21/335;H01L29/778;H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/16;H01L27/15;C23C14/02;C23C14/06;C23C |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种半导体外延结构及其应用与制造方法，所述半导体外延结构包括基板，低温氮化铝层，形成于所述基板上；以及高温氮化镓缓冲层，形成于所述低温氮化铝层上。通过本发明提供的一种半导体外延结构，可获得较无裂纹，表面形貌光滑的高质量的半导体外延结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 结构 及其 应用 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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