[发明专利]集成电路以及保护集成电路的上电时序的方法在审

专利信息
申请号: 202011546311.X 申请日: 2020-12-24
公开(公告)号: CN113870932A 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 日弗·赫诗曼;尤尔·哈永;蒙旭·爱伦 申请(专利权)人: 新唐科技股份有限公司
主分类号: G11C16/12 分类号: G11C16/12;G11C16/14;G11C16/26
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 薛平;周晓飞
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种集成电路以及保护集成电路的上电时序的方法。此集成电路包含非挥发性存储器(NVM)和安全上电电路。非挥发性存储器被配置以储存此IC的操作状态。安全上电电路被配置以(1)在IC的上电序列期间,当IC的供应电压在第一电压范围内时,实行来自NVM的操作状态的第一读取,(2)若第一次读取的来自NVM的操作状态是在允许到IC的敏感资源的状态时,验证供应电压是在比第一电压范围更严密的第二电压范围内,(3)启动一反应动作去回应来自NVM的操作状态的第一读取和第二读取之间的差异。
搜索关键词: 集成电路 以及 保护 时序 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新唐科技股份有限公司,未经新唐科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011546311.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top