[发明专利]三维存储器及其形成方法

摘要

本发明涉及一种三维存储器及其形成方法。所述三维存储器的形成方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有第一堆叠结构、以及覆盖于所述第一堆叠结构表面的连接层；形成贯穿所述连接层的开口和贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔，所述开口与所述第一沟道孔连通；扩大所述开口的特征尺寸，使得扩大后的所述开口的底部的特征尺寸大于所述第一沟道孔的顶部的特征尺寸；形成填充层于所述开口内和空的所述第一沟道孔内。本发明扩大了后续第二沟道孔与第一沟道孔对准窗口的宽度，避免了所述第一沟道孔的侧壁在后续工艺中受到损伤，还大幅度简化了三维存储器的制造步骤，降低了三维存储器的制造成本。