[发明专利]完全多平面操作启用在审
| 申请号： | 202011547868.5 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN113126899A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 吴建刚;林其松;辉俊胜;万云秋;A·马尔谢;P-C·陈 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及完全多平面操作启用。闪存控制器可以确定存储器管芯的平面集合中的第一平面是无效平面。所述闪存控制器可以发布与用于所述存储器管芯的所述平面集合的多平面操作相关联的单个描述符。所述单个描述符可以包含用于所述多平面操作的多个命令，其中基于所述第一平面是所述无效平面，所述多个命令中的第一命令可以是所述多个命令中的第二命令的副本。在一些情况下，与非NAND控制器可以接收与用于所述存储器管芯的所述平面集合的所述多平面操作相关联的所述单个描述符。所述NAND控制器可以基于接收所述单个描述符来发布用于所述多平面操作的多个命令。 | ||
| 搜索关键词： | 完全 平面 操作 启用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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