[发明专利]断线修复装置及断线修复装置调试方法在审
申请号: | 202011547873.6 | 申请日: | 2020-12-24 |
公开(公告)号: | CN112795907A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 陈少甫 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/48 | 分类号: | C23C16/48;G01R27/02 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刘泳麟 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种断线修复装置及断线修复装置调试方法,所述断线修复装置包括基座、安装于所述基座上的支撑架、以及设置于所述支撑架上的可移动的镀膜单元和阻值测试单元,使用所述断线修复装置对基板进行镀膜操作时,所述阻值测试单元可随时对所述镀膜单元形成的膜层阻值进行测试,而无需移动基板,相较于现有技术,减小了基板转运的时间,提高了断线修复装置的调试效率和断线修复效率。 | ||
搜索关键词: | 断线 修复 装置 调试 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的