[发明专利]一种横向导通型GaN混合pn肖特基功率二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011548079.3 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112614898A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李柳暗;王婷婷;敖金平 | 申请（专利权）人： | 宁波铼微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/20;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李园园 |
| 地址： | 315000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向导通型GaN混合pn肖特基功率二极管及其制备方法，所述二极管包括自下往上依次设置的衬底层、应力缓冲层、GaN外延层和p‑GaN掩埋层，其中，GaN外延层上表面未被p‑GaN掩埋层覆盖的部分设置有GaN沟道层，并且GaN沟道层还覆盖p‑GaN掩埋层上表面的一部分；GaN沟道层的上表面设置有势垒层；势垒层的上表面两侧分别设置有p‑GaN盖帽层和欧姆接触电极，p‑GaN盖帽层位于p‑GaN掩埋层的上方；p‑GaN盖帽层的上表面以及p‑GaN掩埋层上表面未被GaN沟道层覆盖的部分设置有肖特基电极。本发明在凹槽阳极结构降低肖特基二极管导通电压的基础上，利用p‑GaN掩埋层形成并联的pn结二极管，提高抗浪涌电流能力及降低器件的导通电阻，同时利用p‑GaN盖帽层提升反向耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 导通型 gan 混合 pn 肖特基 功率 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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