[发明专利]一种通过引入稳定的纳米异质结提高p型SnTe基材料热电性能的方法有效
| 申请号： | 202011549962.4 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112670394B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 张久兴;张静文;李松;吴镇旺;杨新宇 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/22;H01L35/34 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 卢敏 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过引入稳定的纳米异质结提高p型SnTe基材料热电性能的方法，是通过在p型SnTe基材料中引入n型的碳包覆PbTe纳米颗粒，构建为纳米异质结，从而提高p型SnTe基材料的热电性能。本发明的工艺简单、操作方便、可重复性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 引入 稳定 纳米 异质结 提高 snte 基材 热电 性能 方法 | ||
【主权项】：
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