[发明专利]单分子层内δ掺杂的半导体材料及其制备方法和探测器

摘要

本申请提供一种单分子层内δ掺杂的半导体材料及其制备方法和探测器。单分子层内δ掺杂的半导体材料，包括基础缓冲层以及设置在基础缓冲层上的一个或多个单分子掺杂层；基础缓冲层包括III族元素和V族元素；单分子掺杂层包括交替设置的未掺杂部分和掺杂部分，未掺杂部分与基础缓冲层的成分相同，掺杂部分包括与未掺杂部分相同的元素和掺杂元素，掺杂元素包括II族元素、VI族元素和IV元素中的一种或多种。半导体材料的制备方法，包括：在衬底上生长基础缓冲层，然后在基础缓冲层上交替生长未掺杂部分和掺杂部分得到所述单分子掺杂层。探测器，其原料包括半导体材料。本申请提供的单分子层内δ掺杂的半导体材料，具有更高的载流子浓度。