[发明专利]一种沟槽式电容器件及制备方法在审
| 申请号： | 202011551017.8 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112510012A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 顾学强;葛星晨;范春晖 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹一凡 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽式电容器件及制备方法，所述沟槽式电容器件的沟槽电容结构位于沟槽介质层远离所述衬底的一侧，且填充贯穿所述沟槽介质层的第一沟槽，电连接所述第一金属互连层，电容侧墙覆盖所述沟槽电容结构的侧面，电极互连层填充贯穿所述沟槽介质层的第二沟槽，电连接所述第二金属互连层。所述电容侧墙避免了所述沟槽电容结构的上电极层和下电极层的短路，达到了提高器件性能和可靠性的目的，具有显著的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 电容 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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