[发明专利]硅晶圆的研磨方法在审
| 申请号： | 202011551771.1 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN113043159A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 平泽学;冈部和树;坂井伸;青木龙彦 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/10 | 分类号： | B24B37/10;B24B37/32;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;王丽辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 减少使用保持环的硅晶圆的研磨工序中由于从保持环的表面及表层部析出的金属杂质而产生的晶圆表层缺陷。本发明的硅晶圆的研磨方法为，在研磨头（1）处硅晶圆（W）以被保持环（3）围绕的状态保持，并且相对于粘贴于研磨平台（4）的研磨布（5），将保持于前述研磨头的前述硅晶圆推抵来使其旋转，同时将其正面研磨，其中，包括相对于前述保持环至少借助碱性溶液和酸性溶液的某个进行洗涤的工序、相对于前述保持环的洗涤工序后进行前述硅晶圆的研磨的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 硅晶圆 研磨 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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