[发明专利]聚变装置中高熔点材料的激光稳态蒸发镀膜系统及方法有效
| 申请号： | 202011553138.6 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112779505B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 汤中亮;胡建生;左桂忠;彭兰兰;黄明;张德皓 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院;淮北师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/54 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 张乾桢 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种聚变装置中高熔点材料的激光稳态蒸发镀膜系统及方法，该系统包括激光器、激光入射窗口系统、可伸缩坩埚系统以及气体成分监测系统。激光器产生的激光束通过激光入射窗口系统，照射到坩埚内的高熔点材料表面，通过调节激光光斑的功率密度，实现高熔点材料的稳态蒸发。本发明配合聚变装置中的等离子体辅助气相沉积，从而在聚变装置第一壁表面形成均匀薄膜。激光入射窗口系统通过对两个真空观察窗之间真空腔室内气压的监测，可以避免激光束损坏真空观察窗而造成的聚变装置真空泄漏；气体成分监测系统通过监测高熔点材料下方的标记材料进入到等离子体中的含量，从而及时提醒操作人员更换高熔点材料，有效避免激光对坩埚的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 聚变 装置 中高 熔点 材料 激光 稳态 蒸发 镀膜 系统 方法 | ||
【主权项】：
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