[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202011553201.6 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112670342B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;利健;林峰;陈勇;罗江流;王磊;宋利军;吕有明;黎晓华;贺威 | 申请（专利权）人： | 深圳市红与蓝企业管理中心（有限合伙） |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李静玉 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，该晶体管包括：衬底层；设置在衬底层第一表面的沟道层、势垒层、源极和栅极，沟道层和势垒层在第一表面的水平方向相间交替设置，栅极位于沟道层和势垒层的外侧；设置在沟道层和势垒层背离衬底层的第一表面的源极；设置在衬底层第二表面的漏极，第二表面为背离第一表面的衬底层表面。通过实施本发明，通过在衬底层第一表面的水平方向上设置相间交替的沟道层和势垒层，能够显著增加沟道层中的电子浓度，实现漏极大电流密度输出。同时由于势垒层的禁带宽度比沟道层的禁带宽度大，由此通过相间设置的沟道层和势垒层能够有效提高形成晶体管的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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