[发明专利]AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011554637.7 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112701196B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 王巧;刘宁炀;梁锡辉;林丹;胡金花;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 严诚 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种AlGaN基半导体紫外器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。AlGaN基半导体紫外器件包括衬基底以及在衬基底上依次生长的缓冲层、n型电子注入层、AlGaN发光有源层、非均布量子阱结构层、p型AlGaN电子阻挡层、p型空穴注入层和接触层；AlGaN发光有源层包括沿生长方向依次层叠设置的量子阱发光层和量子势垒层，量子阱发光层包括Al |
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| 搜索关键词： | algan 半导体 紫外 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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