[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011555812.4 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN113161368A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 崔裕真;李呈焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11573 | 分类号： | H01L27/11573 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨姗 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法。该非易失性存储器件包括：衬底；模结构，包括在所述衬底上沿第一方向交替堆叠的第一绝缘图案和多个栅电极；以及字线切割区，所述字线切割区沿与所述第一方向不同的第二方向延伸并且切割所述模结构，其中，所述字线切割区包括公共源极线，并且所述公共源极线包括沿所述第二方向延伸的第二绝缘图案、以及沿所述第二方向延伸并且与所述第二绝缘图案和沿所述第二方向的截面接触的导电图案。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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