[发明专利]避免进入自旋状态的微纳卫星磁阻尼控制方法有效
| 申请号： | 202011557005.6 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112607064B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 杜宁;吴树范;慕忠成 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B64G1/32 | 分类号： | B64G1/32;B64G1/36 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种避免进入自旋状态的微纳卫星磁阻尼控制方法，在采用Bdot磁阻尼方法进行卫星角速度阻尼控制的同时，监测卫星是否进入旋转方向接近地磁场方向的自旋状态并设置磁矩指令方向近似垂直于自旋轴方向以增加垂直地磁场方向的控制力矩，当卫星逃离自旋状态时切换回Bdot磁阻尼方法。本发明在Bdot磁阻尼控制方法基础上，增加垂直地磁场方向的控制力矩，避免卫星自旋轴与地磁场方向重合，具备更好的磁阻尼控制效果。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 进入 自旋 状态 卫星 磁阻 控制 方法 | ||
【主权项】：
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