[发明专利]一种薄膜铂电阻中阻栅结构的加工方法在审
| 申请号： | 202011558217.6 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112775559A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 邓耀锋;唐志锋;郑强;龙明昇;廖文;吕启涛;高云峰 | 申请（专利权）人： | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/362 | 分类号： | B23K26/362;B23K26/60;C23C14/34;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种薄膜铂电阻中阻栅结构的加工方法，包括：在所述陶瓷基板表面沉积铂薄膜层；根据预设图案，利用激光在所述铂薄膜层上刻蚀出电阻条间距≤5um的阻栅结构，所述激光的波长为355nm～532nm，激光的脉宽≤10ps。该加工方法可在铂薄膜层刻蚀出电阻条间距≤5um的阻栅结构，相比于传统的曝光显影制作掩膜和蚀刻的制作工艺，激光加工阻栅结构可避免铂电阻因刻蚀后线条产生晶格畸变的内应力，同时该加工方法还减少了掩膜的制作、化学药品的使用等，加工效率更快，经济效益更高，且更环保。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 铂电阻 中阻栅 结构 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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