[发明专利]确定交直流复合激励下导磁构件杂散损耗的方法有效
| 申请号： | 202011558240.5 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113835051B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 赵小军;段松召;崔伟春;苑东伟;杜振斌;刘兰荣;程志光;司良英;王昱皓 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学（保定）;保定天威保变电气股份有限公司;首钢智新迁安电磁材料有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人： | 靳雪华 |
| 地址： | 071000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种确定交直流复合激励下导磁构件杂散损耗的方法，包括：S1、在实验条件下分别得到激励线圈在空/负载工况下的总损耗，并由所述总损耗得到所述激励线圈在空/负载下的损耗差值；S2、获取所述激励线圈在空/负载工况下的涡流损耗修正系数；S3、通过所述涡流损耗修正系数修正所述激励线圈在空载工况下的涡流损耗；S4、由所述损耗差值与所述涡流损耗间的差值得到杂散损耗。其基于空负载工况下激励线圈的损耗差异，通过引入仿真涡流损耗修正系数，恰当地考虑了涡流损耗在负载和空载条件下的变化，有效提高了大型电力变压器的杂散损耗评估的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 直流 复合 激励 下导磁 构件 损耗 方法 | ||
【主权项】：
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