[发明专利]一种提高紫外AlInGaN发光二极管TM模出光效率的方法有效
| 申请号： | 202011558402.5 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112713227B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14;H01L33/38;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明专利公开了一种提高紫外AlInGaN发光二极管TM模出光效率的方法。随着AlInGaN发光二极管Al组分的提高，波长也会逐渐降低，同时TE模出光占主导的出光方式转变成TM模出光占主导。为了提高TM模的出光效率，本发明在刻蚀好的N型电极区和边缘电极区，首先生长钝化层，然后在钝化层区域刻蚀倒梯形结构的反射金属区。倒梯形结构区域蒸镀对紫外光有强反射效率的金属，量子阱中产生的TM光能够经过强反射金属层反射出来，极大地提升了TM模出光效率，从而提高了整个紫外AlInGaN发光二极管的发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 紫外 alingan 发光二极管 tm 模出光 效率 方法 | ||
【主权项】：
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