[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202011558639.3 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN113257776A | 公开(公告)日: | 2021-08-13 |
发明(设计)人: | 甲斐健志;丸山力宏 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 周春燕;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供半导体装置,能够抑制对绝缘电路基板的损伤的产生。在多个电路图案(12)中的与绝缘板(11)的外缘部面对的外缘角部(R1)~(R50),与绝缘板(11)的角部对应的外缘角部(R1、R20、R25、R44)的曲率小于不与绝缘板(11)的角部对应的外缘角部(R2~R19、R21~R24、R26~R43、R45~R50)的曲率。因此,能够缓和对绝缘板(11)的外缘部产生的热应力。特别地,在绝缘板(11)的外缘部,能够缓和对角部产生的更大的热应力。因而,能够抑制绝缘电路基板(10)的损伤的产生,能够防止半导体装置(50)的可靠性降低。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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