[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011558639.3 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113257776A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 甲斐健志;丸山力宏 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供半导体装置，能够抑制对绝缘电路基板的损伤的产生。在多个电路图案(12)中的与绝缘板(11)的外缘部面对的外缘角部(R1)～(R50)，与绝缘板(11)的角部对应的外缘角部(R1、R20、R25、R44)的曲率小于不与绝缘板(11)的角部对应的外缘角部(R2～R19、R21～R24、R26～R43、R45～R50)的曲率。因此，能够缓和对绝缘板(11)的外缘部产生的热应力。特别地，在绝缘板(11)的外缘部，能够缓和对角部产生的更大的热应力。因而，能够抑制绝缘电路基板(10)的损伤的产生，能够防止半导体装置(50)的可靠性降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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