[发明专利]阵列基板及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011558897.1 申请日: 2020-12-25
公开(公告)号: CN112687704B 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 彭菲菲 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 刘泳麟
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种阵列基板及其制备方法,该阵列基板包括:基底层、晶体管绝缘层、电极绝缘层、平坦层和阳极沿垂直于基底层的方向顺序铺设;晶体管绝缘层内嵌设有薄膜晶体管,电极绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层,第一绝缘层和第二绝缘层沿垂直于基底层的方向铺设,第一绝缘层至少有部分区域为有机材料绝缘层,第一绝缘层内嵌设有金属电极,第二绝缘层为无机材料绝缘层,第二绝缘层内嵌设有第一透明电极;平坦层内嵌设有第二透明电极;阳极分别与第一桥接结构和第二桥接结构电性连接,第一桥接结构和第二桥接结构分别穿过所述第一绝缘层的部分区域和第二绝缘层以与薄膜晶体管电性连接。本发明的阵列基板结构简单,简化了制备工艺。
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
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