[发明专利]一种以卤化铅为铅源制备致密PbS量子点薄膜的方法在审
| 申请号： | 202011559482.6 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112885608A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张正国;楚树勇;刘海;柯义虎;段斌 | 申请（专利权）人： | 北方民族大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20 |
| 代理公司： | 北京欣鼎专利代理事务所(普通合伙) 11834 | 代理人： | 卢萍 |
| 地址： | 750000 宁夏回族*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种以卤化铅为铅源制备致密PbS量子点薄膜的方法，以卤化铅为铅源制备致密PbS量子点薄膜方法的具体做法为：一、制备前驱体溶液。首先在10mL二甲基酰胺中加入0.05mmol卤化铅充分搅拌，得到澄清透明溶液即为前驱体溶液，然后用微孔滤膜过滤后备用。二、配置Na2S溶液。先将0.05g‑0.07gNa2S·9H2O溶于去2.5mL离子水中，然后再加入47.5mL的甲醇，便获得50mLNa2S·9H2O溶液。最后将EDT加入到乙醇中混合完全便获得体积分数为1％的EDT乙醇溶液。与现有技术相比本方法制备的PbS量子点薄膜具有导电率高,光电转换效率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 卤化 制备 致密 pbs 量子 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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