[发明专利]无硒气氛制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法有效
| 申请号： | 202011560558.7 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112853264B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 于威;戴万雷;王新占;高超;滕晓云;路万兵;高泽冉;王若冰;秦淑敏;闫美楠 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/20;C23C14/35;C23C16/50;C23C18/12;H01L31/18 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 张莉静 |
| 地址： | 071002 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无硒气氛制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法。包括以下步骤：a.阻挡层的制备；b.背电极层制备；c.铜铟镓硒吸收层制备：在溅射铜铟镓硒吸收层的过程中通入氢气，或者在铜铟镓硒吸收层溅射完成后，低功率溅射铜铟镓硒靶材1‑5min，同时通入氢气；d.缓冲层的制备；e.高阻层的制备；f.窗口层的制备。本发明工艺简单且一致性好，同时制备的吸收层缺陷密度较小，跟前后背接触优异，能够制备获得高效率电池，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 气氛 制备 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】：
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