[发明专利]一种改善离子注入机台精度的方法有效
| 申请号： | 202011561830.3 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112687509B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 周真真;刘厥扬;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善离子注入机台精度的方法，利用基准机台进行方块电阻Rs测试；对该被验证机台进行方块电阻敏感性测试；在相同测试条件下测试基准机台与被验证机台的方块电阻差异值，通过对被验证机台做离子注入的剂量微调，使被验证机台与基准机台的方块电阻Rs匹配；定义离子注入相对破坏程度Q，分别根据基准机台与被验证机台的Q值与方块电阻Rs的关系，得出方块电阻Rs值随Q变化的曲线并计算曲线的交点对应的Rs和Q值；分别对基准机台与被验证机台的测试条件进行微调，得到曲线交点Rs和Q值对应的注入程序；利用二次离子质谱分析验证基准机台与被验证机台的二次离子质谱SIMS结果是否匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 离子 注入 机台 精度 方法 | ||
【主权项】：
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