[发明专利]鳍式场效应晶体管的单扩散区切断结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011561970.0 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112687622A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 周真真 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及鳍式场效应晶体管的单扩散区切断结构的形成方法，涉及半导体集成电路制造技术，通过在形成单扩散区沟槽之后及采用流体化学气相沉积工艺生长形成第三层氧化层之前在裸露的衬垫层、第一氧化层、氮化层、第二氧化层及鳍体表面形成一层无定型硅层，而防止后续流体化学气相沉积工艺的退火工艺阻碍氧化扩散而消耗单扩散区沟槽两侧的鳍体，而不会导致消耗单扩散区沟槽的尺寸过大，而使后续形成的伪栅极结构能全部覆盖单扩散区沟槽，而利于形成高质量的鳍式晶体管的源漏区的外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 扩散 切断 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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