[发明专利]efuse单元结构、efuse单元的双列结构及efuse单元结构的应用电路在审
| 申请号： | 202011562191.2 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112992245A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 晏颖;金建明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种efuse单元结构、efuse单元的双列结构及efuse单元结构的应用电路，efuse单元结构包括编程熔丝和参考熔丝；第一、第二NMOS管；参考熔丝的一端为efuse单元结构的SAref端口，另一端连接第二NMOS管的漏极；编程熔丝的一端为efuse单元结构的位线端口，另一端连接第一NMOS管的漏极；第一、第二NMOS管的栅极连接形成efuse单元结构的字线端口；第一、第二NMOS管的源极连接形成efuse单元结构的接地端口。本发明efuse单元结构对熔丝采用非熔断性编程操作，降低了对所需编程电流要求，可以在较低的编程电压下工作，使得系统功耗大幅下降。同时能可靠地比较编程熔丝和参考熔丝之间的微小差别，并采用非熔断机制，所需编程电流更小，从而缩小了efuse整体的面积。 | ||
| 搜索关键词： | efuse 单元 结构 应用 电路 | ||
【主权项】：
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