[发明专利]一种基于石墨烯上InGaN纳米柱光电极无偏压光电化学制氢系统与应用有效
| 申请号： | 202011562286.4 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112760668B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 李国强;刘乾湖;林静;曾庆浩;张志杰;莫由天;邓曦 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C25B1/04 | 分类号： | C25B1/04;C25B1/55;C25B11/053;C25B11/091;C23C16/34;C23C16/50;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 饶周全 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于石墨烯上InGaN纳米柱光电极无偏压光电化学制氢系统与其应用。该体系包括光阳极、光阴极、电解液、光源、电解池，所述的光阳极结构从下至上依次为衬底、衬底上的石墨烯、生长在石墨烯上的InGaN纳米柱，所述的光阴极结构从上至下依次为衬底、生长在衬底上的InGaN纳米柱；本发明使用石墨烯不仅拓宽了衬底的选择范围，同时可以充当导电电极使用，降低了成本；石墨烯还能与纳米柱之间的形成肖特基势垒，有利于分离光生载流子，增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；同时石墨烯的透光性能够制备InGaN纳米柱集成光电极，能拓宽光谱吸收、提高水分解所需光电压，实现无偏压光电水分解产氢。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 ingan 纳米 电极 偏压 电化 学制 系统 应用 | ||
【主权项】：
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