[发明专利]像素单元及其制作方法和显示装置在审
申请号: | 202011565798.6 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN112670332A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 贾文斌;许名宏;高昕伟;万想;朱飞飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李弘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种像素单元及其制作方法和显示装置,包括基板、像素界定层、第一电极、有机层、第二电极;像素界定层和第一电极位于基板的一侧,像素界定层限定像素区域;有机层形成于像素区域内,且位于第一电极上;第二电极形成于有机层上;像素界定层上包括至少一条凹槽;凹槽的至少一斜边包括远离基板一侧的第一部分和位于第一部分和基板之间的第二部分,第二部分的坡角大于第一部分的坡角。本发明通过在像素界定层上开设凹槽来隔断相邻像素单元的有机层,在蒸镀有机层时,有机层在凹槽内被隔断,不易阶梯覆盖,即不易发生爬坡效应,避免第一电极上的载流子向非像素区移动,从而避免正电荷与电子在非像素区复合。 | ||
搜索关键词: | 像素 单元 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的