[发明专利]一种非晶铟铝锡氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202011566504.1 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112687734A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 冯先进;徐伟东 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/786;H01L21/34;H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵龙群 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非晶铟铝锡氧化物薄膜晶体管及其制备方法，该晶体管自下到上依次包括衬底、栅介电层、非晶IATO有源层、源电极和漏电极，栅介电层生长在衬底上，IATO有源层生长在栅介电层上，源和漏电极生长在IATO有源层上；制备方法包括：(1)清洗衬底；(2)在衬底上生长栅介电层；(3)用射频磁控溅射法在栅介电层上生长IATO有源层；(4)在IATO有源层表面生长源电极和漏电极；(5)对生成的IATO TFT进行后退火处理，即得。采用射频磁控溅射法的制备工艺，可以制备与靶材组分相近、致密、均一性良好的绝缘体薄膜和半导体薄膜材料，与现有的平板显示工艺相兼容，有利于IATO TFT的低温及室温制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非晶铟铝锡 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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