[发明专利]一种三维存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 202011568066.2 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112687694B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张中 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/10 | 分类号： | H10B41/10;H10B41/35;H10B41/20;H10B43/10;H10B43/35;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 高园园 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维存储器及其制作方法，该三维存储器包括堆叠结构、栅线缝隙结构、绝缘隔断结构、第一触点结构及第二触点结构，其中，堆叠结构划分为多个存储区块，存储区块包括挡墙结构及相邻设置的下层阶梯结构，多个第一触点结构分布于第一及第四阶梯结构的台阶上，并与相应台阶中底部选择栅层连接；多个第二触点结构分布于第二或/及第三阶梯结构的台阶上，并与相应台阶中的底部选择栅层连接。本发明为放置挡墙结构的指状结构设计独立的阶梯结构，从而可以引出挡墙结构所在指状结构的底部选择栅，当底部选择栅层为多层时，可以较容易地实现指状结构控制，绝缘隔断结构可以通过简单的BSG切口或虚设沟道孔实现，不用非常复杂，降低了工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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