[发明专利]彩色CMOS图像传感器像素阵列、传感器以及制备工艺有效
申请号: | 202011568106.3 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN112490258B | 公开(公告)日: | 2022-09-16 |
发明(设计)人: | 袁恺;陈世杰;张斌 | 申请(专利权)人: | 联合微电子中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京北汇律师事务所 11711 | 代理人: | 马亚坤 |
地址: | 401332 重庆*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种彩色CMOS图像传感器像素阵列、传感器以及制备工艺,其中,彩色CMOS图像传感器像素阵列包括:a像素、b像素和c像素;所述a像素的表面具有第一滤光层;所述b像素的表面具有第二滤光层;所述c像素的表面具有第三滤光层;其中,所述第一滤光层、所述第二滤光层和所述第三滤光层具有不同的N+掺杂浓度和/或深度;由所述a像素、b像素和c像素通过差分光谱响应的方式实现色彩还原。解决了现有技术中色彩呈现度和有效空间分辨率降低,以及滤光片本身不利于弱光条件下的成像的问题。通过设计彩色CMOS图像传感器像素阵列减少滤光片的制备,增强了弱光条件下彩色CMOS图像传感器的灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 彩色 cmos 图像传感器 像素 阵列 传感器 以及 制备 工艺 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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