[发明专利]一种GaN基增强型MIS-HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011568133.0 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112713188B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 季亚军;吴勇;王东;陈兴;汪琼;陆俊;黄永;孙凯;何滇;操焰;崔傲;袁珂;陈军飞;张进成 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138 | 代理人： | 房文亮 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种GAN基增强型MIS‑HEMT器件，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、应力调控层、GaN沟道层、插入层、Al |
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| 搜索关键词： | 一种 gan 增强 mis hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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