[发明专利]用于功率MOS管的过流检测和保护电路、以及功率MOS管组件有效
| 申请号： | 202011568334.0 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112701663B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 夏钊;张旭;陈光胜 | 申请（专利权）人： | 上海东软载波微电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/20 | 分类号： | H02H7/20;H02H3/08;H02H1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陆磊 |
| 地址： | 200235 上海市徐汇区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种用于功率MOS管的过流检测和保护电路、以及功率MOS管组件。过流检测和保护电路包括电流采样模块和栅极控制模块，电流采样模块适于采样流过功率MOS管源极的电流；栅极控制模块的输入端耦接功率MOS管的源极、输出端耦接功率MOS管的栅极而向功率MOS管提供栅极驱动电压，以使得电流不超过其电流阈值。使得流过功率MOS管的电流不会出现过流，且精确地计算出电流阈值而不存在电流阈值的偏差，从而可以避免由于该偏差所导致的对功率MOS管的提前保护或者保护失效。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率 mos 检测 保护 电路 以及 组件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海东软载波微电子有限公司，未经上海东软载波微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011568334.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
