[发明专利]JBS二极管结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202011569080.4 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN114695568A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 曹群;郭小青 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张美君 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种JBS二极管结构及其制造方法，所述JBS二极管结构包括：阴极背面金属层，N型衬底层，N型外延层，P型扩散层，金属接触层和金属阳极层；阴极背面金属层，N型衬底层和N型外延层自下而上依次设置；N型外延层远离N型衬底层的上表面内嵌有多个沟槽区域；多个沟槽区域沿第一方向分布；沟槽区域在第一方向的宽度沿第二方向连续增大；P型扩散层设置在多个沟槽区域的内壁；金属接触层位于N型外延层表面和P型扩散层表面；金属接触层与N型外延层形成肖特基接触；金属接触层与P型扩散层形成欧姆接触；金属阳极层覆盖在金属接触层远离N型衬底层的表面。本发明提供的JBS二极管可以在提高JBS二极管的关断速度的同时降低高温漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | jbs 二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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