[发明专利]一种基于多层谐振结构的超宽带可调型太赫兹完美吸收器在审
| 申请号： | 202011572358.3 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112736489A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 吴国璋;刘建国;王远东;韩雪妍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;H01Q15/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于多层谐振结构的超宽带可调型太赫兹完美吸收器，至上而下包括：相变结构层(1)，由至少一个环形组件组成，每个环形组件包括至少两个环形结构，用于对太赫兹电磁波进行强损耗吸收；介质层(2)，用于进一步吸收太赫兹电磁波；金属层(3)，用于全反射太赫兹电磁波；温度控制平台(4)，通过控制温度变化改变相变结构层的电导率，可调控对太赫兹电磁波的吸收强度。本发明的超宽带可调型太赫兹完美吸收器可以克服目前的太赫兹吸收器存在吸收带宽窄和电磁吸收强度固定的缺陷，具有更大的太赫兹带宽和更好的灵活性，有利于其在调制、传感、图像等领域的广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多层 谐振 结构 宽带 可调 赫兹 完美 吸收 | ||
【主权项】：
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