[发明专利]一种半导体激光bar条以及半导体外腔在审
| 申请号： | 202011572378.0 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112688169A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 肖瑜;唐霞辉;周鹏;胡聪;马豪杰;张成杰 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/20;H01S5/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光bar条以及半导体外腔，属于半导体激光阵列相干合束领域，半导体激光bar条包括：多个发光单元以及位于相邻发光单元之间的不发光区域；发光单元与高阶厄米高斯光束的波峰一一对应，不发光区域与高阶厄米高斯光束的节线一一对应，且各发光单元的宽度与其对应波峰两端零点之间的宽度相等，各不发光区域与其对应节线重合，各发光单元的宽度不相等，其中，高阶厄米高斯光束由半导体激光bar条和外腔相互作用产生。这种非均匀分布的半导体激光bar条支持高阶厄米高斯模式振荡，在腔内产生高阶厄米高斯模式时，引入的耦合损耗最低，每个发光单元的宽度和高阶厄米高斯模式相匹配，可提高耦合效率，进而提高相干合束的功率和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 激光 bar 以及 | ||
【主权项】：
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