[发明专利]一种提高超薄氮化镓场效应管晶体质量的外延方法有效
| 申请号： | 202011572717.5 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN112687525B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 张东国;李忠辉 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 曹芸 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高超薄氮化镓场效应管晶体质量的外延方法，属于半导体外延材料技术领域。本方法利用金属有机物化学气相沉积等材料生长技术，通过前期有机镓源浸润预处理改善氮化铝/氮化镓界面质量，抑制界面位错的生成，并在后期进行高温退火重结晶实现氮化镓穿透位错快速湮没，可以大幅度降低氮化镓复合缓冲层生长初期的位错密度，从而实现了外延总厚度在200~500nm的高晶体质量氮化镓场效应管材料制备。本发明可以在保证晶体质量的前提下，将氮化镓缓冲层厚度大幅减薄，有助于改善器件功率和频率特性，显著降低外延成本；同时本发明的生长方法与常规氮化镓外延工艺兼容，可控性好，具有较高的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 超薄 氮化 场效应 晶体 质量 外延 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011572717.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
