[发明专利]一种PERC双面电池背膜优化工艺在审
| 申请号： | 202011572727.9 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112635622A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 陈周;张林;周小燕;冉东;任朋;谢泰宏;翟绪锦 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/068 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 邓芸 |
| 地址： | 610213 四川省成都市双流*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PERC双面电池背膜优化工艺，涉及晶硅太阳能电池生产制造技术领域，本发明包括如下步骤：制绒、扩散、激光掺杂、前氧化、碱抛光、制作电池片背面钝化膜层、制作电池片正面钝化膜层、退火、测试分选电池片的电性能。电池片背面钝化膜层为4层不同折射率的氮化硅膜层，4层氮化硅膜层的折射率为高中中低排布，其中底层为高折射率，本发明具有结构简单，PERC双面背膜工艺高中中低膜层结构，提升电池效率改善电池片组件可靠性PID的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 perc 双面 电池 优化 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
