[发明专利]一种堆叠栅极结构的GaN基常关型HEMT器件在审
| 申请号： | 202011572787.0 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112635557A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李成果;曾巧玉;尹雪兵;葛晓明;陈志涛 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/20 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种堆叠栅极结构的GaN基常关型HEMT器件。本发明的堆叠栅极结构包括含铟的三族氮化物半导体薄膜和p型掺杂的三族氮化物半导体薄膜，含铟的三族氮化物半导体薄膜可阻挡p型掺杂三族氮化物半导体中的Mg扩散到势垒层中，也可通过本身材料中的极化电荷消弱沟道层中的二维电子气，提高常关型HEMT器件的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 栅极 结构 gan 基常关型 hemt 器件 | ||
【主权项】：
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