[发明专利]一种锗-铒掺杂二氧化锡多层复合薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202011575069.9 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112538344B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 李东珂;夏丽霞;李怡欢;严莲;翟章印;陈贵宾 | 申请（专利权）人： | 淮阴师范学院 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/77;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;H01L33/06 |
| 代理公司： | 淮安市科文知识产权事务所 32223 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗量子‑铒掺杂二氧化锡多层复合半导体薄膜及其制备方法，本发明利用高真空多射频靶磁控溅射系统，在清洗后的衬底上，交替进行铒掺杂二氧化锡子层和非晶锗子层的溅射沉积，将沉积得到的铒掺杂二氧化锡/非晶锗多层复合半导体薄膜在氮气环境中进行热退火处理，使非晶锗子层内锗原子聚集晶化形成锗量子点，得到交替层叠结合在衬底上的锗量子‑铒掺杂二氧化锡多层复合半导体薄膜。本发明采用在铒掺杂二氧化锡半导体薄膜中插入锗量子点层，利用锗量子点的电子强关联特性敏化增强铒发光中心的光学活性，提高其发光效率；通过调节锗量子点的微观尺寸，可以改变其电子关联特性，实现对铒掺杂氧化物半导体材料中铒发光中心的光学调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 多层 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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