[发明专利]晶须补强氧化锆基台有效
申请号: | 202011575681.6 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN112691232B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 李廷凯;赵武元;沈志坚;杨进 | 申请(专利权)人: | 杭州而然科技有限公司 |
主分类号: | A61L27/02 | 分类号: | A61L27/02;A61L27/50;A61L27/54;A61L27/30;A61L27/56;C04B35/81;C04B35/48;C04B35/626;C04B41/87;B33Y70/10;B33Y80/00 |
代理公司: | 杭州知见专利代理有限公司 33295 | 代理人: | 赵越剑 |
地址: | 310053 浙江省杭州市滨江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶须补强氧化锆基台,包括一体结构的氧化锆基台本体,氧化锆基台本体的中心处设有纵向贯通的内孔,氧化锆基台本体由上至下依次包括修复段、穿龈段和连接段,所述氧化锆基台本体的材料为晶须补强氧化锆,所述晶须补强氧化锆的原料包括主材料及添加剂,所述主材料按质量百分比计由氧化锆80‑99%和晶须1‑20%组成,所述添加剂按占晶须重量的百分比计包括:超细纳米氧化铝粉0.1‑1%,超细纳米氧化硅粉0‑0.1%。本发明通过脉冲电场导向的3D胶态分层成型工艺使晶须在晶须补强氧化锆材料中分布为定向分布和/或弥散分布,提高了氧化锆基台的强度和断裂韧性,兼顾生物相容性、生物活性和美学性能。 | ||
搜索关键词: | 晶须补强 氧化锆 | ||
【主权项】:
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