[发明专利]半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置在审
| 申请号： | 202011577605.9 | 申请日： | 2015-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN112635573A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 冈崎健一;肥塚纯一;神长正美;井口贵弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L29/51;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。在包括氧化物半导体的半导体装置中，能够抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置，包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上方的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜；第二绝缘膜上方的第三绝缘膜，其中，第二绝缘膜包含氧与硅，第三绝缘膜包含氮与硅，并且，在第二绝缘膜与第三绝缘膜的界面附近包含铟。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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