[发明专利]一种二维材料模拟电路及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202011578341.9 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112687739B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 叶镭;彭追日;童磊;李政;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335;H01L29/18;H01L29/12 |
| 代理公司： | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人： | 廖盈春;李君 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于二维半导体电路领域，具体涉及一种二维材料模拟电路及其制备方法和应用，包括：衬底，双极可调性二维材料，铁电衬底材料薄膜，以及顶部、底部金属电极；二维材料和铁电衬底材料薄膜层叠设置；二维材料的表面设置有顶部金属电极；铁电衬底材料薄膜的表面设置有底部金属电极；铁电衬底材料薄膜用于在不同极化状态下对二维材料中的沟道载流子类型和浓度进行调制；其中铁电衬底材料薄膜的极化通过在顶部和底部金属电极之间外接脉冲电场实现。本发明对铁电衬底材料极化之后撤掉电场，仅利用铁电衬底材料极化状态对二维材料沟道载流子调控，大幅降低功耗；同时通过设置铁电体不同极化状态调控二维材料沟道，具备可重构电路存储和计算能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 材料 模拟 电路 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011578341.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：钻孔装置及旋挖钻机
- 下一篇：一种高导电高导热灌封胶及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
