[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法、基础异质结太阳能电池

摘要

本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法、基础异质结太阳能电池。该制备方法包括如下步骤：A、在硅片上制备本征非晶硅层，在本征非晶硅层上制备掺杂非晶硅层；B、在掺杂非晶硅层上制备透明导电氧化物薄膜；C、在透明导电氧化物薄膜上制备金属电极制得基础电池片；在制备本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜之前，预先在硅片表面的需进行划片的位置上放置掩膜，从而在本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜中形成有隔离沟道，隔离沟道自硅片的表面依次贯穿本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和透明导电氧化物薄膜；在对基础电池片分切时，沿隔离沟道切割硅片。本发明能够避免在划片分切时损伤非晶硅层和导电薄膜层。