[发明专利]多层SOI衬底的制造方法及多层SOI衬底在审
| 申请号： | 202011579074.7 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN113345833A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 朴振源 | 申请（专利权）人： | 韩商则舒穆公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及多层SOI衬底的制造方法及多层SOI衬底，所述多层SOI衬底的制造方法的特征在于，包括：(a)准备包括单晶硅衬底、形成于单晶硅衬底上的氧化层、形成于氧化层上多个第1绝缘图案及第1单晶硅外延层的SOI衬底的步骤；(b)在SOI衬底上形成绝缘层的步骤；(c)在绝缘层上形成多个第2绝缘图案及第2单晶硅外延层的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 soi 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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